FDN338P in Reel by onsemi | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

FDN338P

P-Channel 20 V 115 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2427
Product Specification Section
onsemi FDN338P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.115Ω
Style d'emballage :  SSOT-3
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDN338P is a 20 V 115 mO P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-uses advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications

Features:

  • –1.6 A, –20 V.
  • RDS(ON)= 115 mO @ VGS = –4.5 V
  • RDS(ON) = 155 mO @ VGS = –2.5 V
  • Fast switching speed
  • High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
  • SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higherpower handling capability than SOT23 in the samefootprint

Applications:

  • Battery management
  • Load switch
  • Battery protection

View the complete family of P-channel Mosfets

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Pricing Section
Stock global :
168 000
États-Unis:
168 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
420,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.14
6 000
$0.139
9 000
$0.138
12 000
$0.137
15 000+
$0.135
Product Variant Information section