Référence fabricant
NTBG022N120M3S
N-Channel 1200 V 30 mOhm 234 W Surface Mount SiC MOSFET - D2PAK-7
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2341 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTBG022N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTBG022N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 58A |
| Input Capacitance: | 3200pF |
| Power Dissipation: | 234W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 400
d’Allemagne (En ligne seulement):
2 400
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800+
$9.34
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount