Référence fabricant
SISD5300DN-T1-GE3
TrenchFET Series 30 V 62 A 0.87 mOhm Single N-Channel MOSFET - PowerPAK 1212-F
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2347 | ||||||||||
Product Specification Section
Vishay SISD5300DN-T1-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay SISD5300DN-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.87mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 5.4W |
| Qg Gate Charge: | 36.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 62A |
| Turn-on Delay Time: | 50ns |
| Turn-off Delay Time: | 60ns |
| Rise Time: | 180ns |
| Fall Time: | 30s |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 5030pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
50
d’Allemagne (En ligne seulement):
50
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$0.89
15
$0.805
75
$0.76
300
$0.72
1 500+
$0.66
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par
Méthode de montage :
Surface Mount