Référence fabricant
SISD5300DN-T1-GE3
TrenchFET Series 30 V 62 A 0.87 mOhm Single N-Channel MOSFET - PowerPAK 1212-F
Product Specification Section
Vishay SISD5300DN-T1-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay SISD5300DN-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.87mΩ |
Rated Power Dissipation: | 5.4W |
Qg Gate Charge: | 36.2nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
Drain Current: | 62A |
Turn-on Delay Time: | 50ns |
Turn-off Delay Time: | 60ns |
Rise Time: | 180ns |
Fall Time: | 30s |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 2V |
Input Capacitance: | 5030pF |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.685
6 000+
$0.66
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount