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Référence fabricant

NTE4153NT1G

Single N-Channel 20 V 950 mOhm 1.82 nC 300 mW Silicon SMT Mosfet - SC-89-3

Product Specification Section
onsemi NTE4153NT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 950mΩ
Rated Power Dissipation: 300mW
Qg Gate Charge: 1.82nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 6V
Drain Current: 915mA
Turn-on Delay Time: 3.7ns
Turn-off Delay Time: 25ns
Rise Time: 4.4ns
Fall Time: 7.6ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.1V
Technology: Si
Height - Max: 0.8mm
Length: 1.7mm
Input Capacitance: 110pF
Style d'emballage :  SC-89
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
The NTE4153NT1G is a part of NTE41 series power MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SC-89 package.

Features:

  • Low RDS(on) Improving System Efficiency
  • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated
  • ESD Protected Gate
  • Pb−Free Packages are Available

Applications:

  • Load/Power Switches
  • Power Supply Converter Circuits
  • Battery Management
  • Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.
Pricing Section
Stock global :
600 000
États-Unis:
126 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
474 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
156,30 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0521
9 000
$0.0508
15 000
$0.0502
30 000
$0.0494
60 000+
$0.0482