Référence fabricant
NDS0605
P-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Field Effect Transistor - SOT-23
Product Specification Section
onsemi NDS0605 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NDS0605 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | P-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 5Ω |
Rated Power Dissipation: | 0.36|W |
Qg Gate Charge: | 2.5nC |
Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NDS0605 Part Number is a P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS technology.
This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 0.18 A DC and can deliver pulsed currents up to 1 A.
This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
Features:
- -0.18A, -60V. RDS(ON) = 5W @ VGS= -10V
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for extremely low RDS(ON)
- High saturation current
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
- Camcorder
Pricing Section
Stock global :
783 000
États-Unis:
60 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
723 000
Délai d'usine :
31 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0349
9 000
$0.0341
15 000
$0.0337
60 000
$0.0327
90 000+
$0.032
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount