Référence fabricant
IRF4905PBF
Single P-Channel 55 V 0.02 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) | ||||||||||
| Code de date: | 2411 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF4905PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRF4905PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.02Ω |
| Rated Power Dissipation: | 200W |
| Qg Gate Charge: | 180nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 74A |
| Turn-on Delay Time: | 18ns |
| Turn-off Delay Time: | 61ns |
| Rise Time: | 99ns |
| Fall Time: | 96ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Advanced Process Technology |
| Height - Max: | 8.77mm |
| Length: | 10.54mm |
| Input Capacitance: | 3400pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.845
200
$0.82
750
$0.80
1 250
$0.79
2 500+
$0.765
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)