IRF4905PBF in Tube by Infineon | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

IRF4905PBF

Single P-Channel 55 V 0.02 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2223
Product Specification Section
Infineon IRF4905PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.02Ω
Rated Power Dissipation: 200W
Qg Gate Charge: 180nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 74A
Turn-on Delay Time: 18ns
Turn-off Delay Time: 61ns
Rise Time: 99ns
Fall Time: 96ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Advanced Process Technology
Height - Max: 8.77mm
Length: 10.54mm
Input Capacitance: 3400pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Pricing Section
Stock global :
289 320
États-Unis:
208 870
d’Allemagne (En ligne seulement):
80 450
Sur commande :Order inventroy details
48 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
50
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
42,25 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.845
200
$0.82
750
$0.80
1 250
$0.79
2 500+
$0.765