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Référence fabricant

SCT055HU65G3AG

PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 400 - 800 V Sic PMOSFET

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT055HU65G3AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 30A
Input Capacitance: 721pF
Power Dissipation: 185W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  D2PAK-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
600
Total 
3 858,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
600+
$6.43