Référence fabricant
SCT055HU65G3AG
PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 400 - 800 V Sic PMOSFET
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :600 par Style d'emballage :D2PAK-7 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2301 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT055HU65G3AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics SCT055HU65G3AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 30A |
| Input Capacitance: | 721pF |
| Power Dissipation: | 185W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | D2PAK-7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
147
d’Allemagne (En ligne seulement):
147
Sur commande :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$6.75
10
$6.64
30
$6.58
125
$6.51
300+
$6.43
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
600 par
Style d'emballage :
D2PAK-7
Méthode de montage :
Surface Mount