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Référence fabricant

NTMT045N065SC1

N-Channel 650 V 55 A 187 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - TDFN-4 (8x8)

Product Specification Section
onsemi NTMT045N065SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 55A
Input Capacitance: 1870pF
Power Dissipation: 187W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TDFN-4
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
6,34 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$6.34
10
$6.27
30
$6.22
125
$6.16
300+
$6.07