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Référence fabricant

NTMT045N065SC1

N-Channel 650 V 55 A 187 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - TDFN-4 (8x8)

Product Specification Section
onsemi NTMT045N065SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 55A
Input Capacitance: 1870pF
Power Dissipation: 187W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TDFN-4
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
3000
Total 
5,95 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$5.95
10
$5.88
30
$5.83
125
$5.77
300+
$5.69