Référence fabricant
NTMT045N065SC1
N-Channel 650 V 55 A 187 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - TDFN-4 (8x8)
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Style d'emballage :TDFN-4 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTMT045N065SC1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTMT045N065SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 55A |
| Input Capacitance: | 1870pF |
| Power Dissipation: | 187W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TDFN-4 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$5.69
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par
Style d'emballage :
TDFN-4
Méthode de montage :
Surface Mount