Référence fabricant
NTBG040N120M3S
N-Channel 1200 V 54 mOhm 263 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - D2PAK-7
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2 par Style d'emballage :D2PAK-7 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2328 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTBG040N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTBG040N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 57A |
| Input Capacitance: | 1700pF |
| Power Dissipation: | 263W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | D2PAK-7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
130
d’Allemagne (En ligne seulement):
130
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1+
$17.49
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2 par
Style d'emballage :
D2PAK-7
Méthode de montage :
Surface Mount