Référence fabricant
NTBG040N120M3S
N-Channel 1200 V 54 mOhm 263 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - D2PAK-7
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Style d'emballage :D2PAK-7 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTBG040N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTBG040N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 57A |
| Input Capacitance: | 1700pF |
| Power Dissipation: | 263W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | D2PAK-7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$5.92
10
$5.56
40
$5.35
125
$5.19
400+
$4.93
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par
Style d'emballage :
D2PAK-7
Méthode de montage :
Surface Mount