text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

NTBG028N170M1

N-Channel 1700 V 40 mOhm 428 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - D2PAK-7

Product Specification Section
onsemi NTBG028N170M1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1700V
Drain Current: 71A
Input Capacitance: 4160pF
Power Dissipation: 428W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  D2PAK-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
25
d’Allemagne (En ligne seulement):
25
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
24,54 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1+
$24.54