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Référence fabricant

AIMBG75R016M1HXTMA1

CoolSiC Technology N-Channel 750 V 16 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO263-7

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon AIMBG75R016M1HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 750V
Drain Current: 98A
Input Capacitance: 2869pF
Power Dissipation: 384W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
13 030,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
1 000+
$13.03
Product Variant Information section