Référence fabricant
AIMBG75R016M1HXTMA1
CoolSiC Technology N-Channel 750 V 16 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO263-7
Product Specification Section
Infineon AIMBG75R016M1HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon AIMBG75R016M1HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No. of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 750V |
Drain Current: | 98A |
Input Capacitance: | 2869pF |
Power Dissipation: | 384W |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 000
États-Unis:
2 000
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix Internet
1 000+
$13.03
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount