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Référence fabricant

IRLML6402TRPBF

Single P-Channel 20 V 0.065 Ohm 8 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2334
Product Specification Section
Infineon IRLML6402TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.065Ω
Rated Power Dissipation: 1.3|W
Qg Gate Charge: 8nC
Style d'emballage :  MICRO-3
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
The IRLML6402TRPBF is a 20 V fast switching Single P-Channel HEXFET Power Mosfet, available in a low profile MICRO-3 package.

It utilizes a advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in many applications.

Features:

  • Ultra Low On-Resistance
  • P-Channel MOSFET
  • SOT-23 Footprint
  • Low Profile (<1.1mm)
  • Available in Tape and Reel
  • Fast Switching
  • Lead-Free
  • Halogen-Free

Applications:

  • Battery
  • Load Management
  • Portable electronics
  • PCMCIA cards
Pricing Section
Stock global :
996 000
États-Unis:
138 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
858 000
Sur commande :Order inventroy details
1 650 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
171,90 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0573
9 000
$0.0559
15 000
$0.0552
30 000
$0.0543
60 000+
$0.053
Product Variant Information section