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Référence fabricant
IRLML6402TRPBF
Single P-Channel 20 V 0.065 Ohm 8 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3
Product Specification Section
Infineon IRLML6402TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Process Change
06/26/2023 Détails et téléchargement
Marking Change
07/20/2022 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRLML6402TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | P-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
Qg Gate Charge: | 8nC |
Style d'emballage : | MICRO-3 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The IRLML6402TRPBF is a 20 V fast switching Single P-Channel HEXFET Power Mosfet, available in a low profile MICRO-3 package.
It utilizes a advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in many applications.
Features:
- Ultra Low On-Resistance
- P-Channel MOSFET
- SOT-23 Footprint
- Low Profile (<1.1mm)
- Available in Tape and Reel
- Fast Switching
- Lead-Free
- Halogen-Free
Applications:
- Battery
- Load Management
- Portable electronics
- PCMCIA cards
Pricing Section
Stock global :
996 000
États-Unis:
138 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
858 000
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0573
9 000
$0.0559
15 000
$0.0552
30 000
$0.0543
60 000+
$0.053
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
MICRO-3
Méthode de montage :
Surface Mount