Référence fabricant
IAUCN04S7N004ATMA1
N-Channel 40 V 175 A 219 W Surface Mount AAutomotive Mosfet - PG-TDSON-8-53
Product Specification Section
Infineon IAUCN04S7N004ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IAUCN04S7N004ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.44mΩ |
Rated Power Dissipation: | 219W |
Qg Gate Charge: | 169nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 175A |
Turn-on Delay Time: | 20ns |
Turn-off Delay Time: | 45ns |
Rise Time: | 12ns |
Fall Time: | 24ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Input Capacitance: | 11310pF |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$1.09
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount