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Infineon | BSC030N08NS5ATMA1

Référence fabricant

BSC030N08NS5ATMA1

Single N-Channel 80 V 3 mOhm 61 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSC030N08NS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 3mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 61nC
Style d'emballage :  TDSON-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 725,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.745
Product Variant Information section