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Référence fabricant
IPT012N08N5ATMA1
Single N-Channel 80 V 1.2 mOhm 178 nC OptiMOS™ Power Mosfet - HSOF-8-1
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPT012N08N5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly Site/Material Change
01/13/2023 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPT012N08N5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipt012n08n5atma1-infineon-8064714
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPT012N08N5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipt012n08n5atma1-infineon-8064714
Infineon IPT012N08N5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 375|W |
| Qg Gate Charge: | 178nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000+
$2.50
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount