Référence fabricant
QSD123
QSD123 Series 30 V 880 nm Plastic Silicon Infrared Phototransistor - T-1 3/4
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :250 par Box Style d'emballage :T-1 3/4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi QSD123 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi QSD123 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 880nm |
| Angle of Half Sensitivity: | ±12° |
| Power Dissipation: | 100mW |
| CE Voltage-Max: | 30V |
| Collector Current @ 25C: | 4mA |
| Style d'emballage : | T-1 3/4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The QSD123 is a 100 mW 30 V 880 nm Plastic Silicon Infrared Phototransistor. It comes in a Package of T-1 3/4 and Operating temperature ranges from -40 °C to 100 °C.
Features:
- NPN Silicon Phototransistor
- Package Type: T-1 3/4
- Notched Emitter: QED12X/QED22X/QED23X
- Narrow Reception Angle: 24°C
- Daylight Filter
- Package Material and Color: Black Epoxy
- High Sensitivity
Applications:
- Automation
- Building & Home Controls
- Medical Electronics/Devices
- Home Audio System Components
- Consumer Appliances
View the QSD12 Series of Phototransistor
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.174
200
$0.17
750
$0.166
2 500
$0.162
10 000+
$0.155
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
250 par Box
Style d'emballage :
T-1 3/4
Méthode de montage :
Through Hole