Référence fabricant
SCT30N120
Single N-Channel 1200 V 270 W 105 nC SiC Through Hole Mosfet - HiP247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT30N120 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics SCT30N120 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 45A |
| Input Capacitance: | 1700pF |
| Power Dissipation: | 270W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +200°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
32 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$15.26
5
$15.06
25
$14.87
50
$14.78
150+
$14.53
Product Variant Information section
Emballages disponibles
- TubeSelected Variant Qté: 600+ / Prix unitaire: $15.26 / Stock: 0 Qté: 1+$15.26 Stock: 0
- Tube Qté: 600+ / Prix unitaire: $15.26 / Stock: 0 Qté: 1+$15.26 Stock: 0
- Tube Qté: 30+ / Prix unitaire: $14.82 / Stock: 3 750 Qté: 30+$14.82 Stock: 3 750
- Tube Qté: 30+ / Prix unitaire: $15.26 / Stock: 0 Qté: 1+$15.26 Stock: 0
- Tube Qté: 600+ / Prix unitaire: $14.82 / Stock: 0 Qté: 30+$14.82 Stock: 0
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole