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Référence fabricant

SCT30N120

Single N-Channel 1200 V 270 W 105 nC SiC Through Hole Mosfet - HiP247

Product Specification Section
STMicroelectronics SCT30N120 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 45A
Input Capacitance: 1700pF
Power Dissipation: 270W
Operating Temp Range: -55°C to +200°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
32 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
8 724,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$14.83
60
$14.74
90
$14.69
120
$14.65
150+
$14.54