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Référence fabricant

SCT2H12NZGC11

SCT2H12NZ Series 1700 V 3.7 A 1.5 Ohm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-3PFM

Product Specification Section
ROHM SCT2H12NZGC11 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1700V
Drain Current: 3.7A
Input Capacitance: 184pF
Power Dissipation: 35W
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
12 880
d’Allemagne (En ligne seulement):
12 880
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
10
Multiples de :
30
Total 
38,70 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$3.87
90
$3.77
300
$3.67
600
$3.61
1 200+
$3.50