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Product Specification Section
ROHM SCT2H12NZGC11 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1700V
Drain Current: 3.7A
Input Capacitance: 184pF
Power Dissipation: 35W
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
2,72 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$2.72
20
$2.67
75
$2.62
200
$2.59
750+
$2.52