Référence fabricant
NTH4L022N120M3S
N-Channel 1200 V 68 A 352 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :30 par Style d'emballage :TO-247-4L Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTH4L022N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTH4L022N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 68A |
| Input Capacitance: | 3175pF |
| Power Dissipation: | 352W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4L |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30+
$10.68
Product Variant Information section
Emballages disponibles
- Tube Qté: 450+ / Prix unitaire: $10.26 / Stock: 3 600 Qté: 450+$10.26 Stock: 3 600
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $10.77 / Stock: 22 Qté: 1+$10.77 Stock: 22
- Tube Qté: 450+ / Prix unitaire: $10.26 / Stock: 0 Qté: 450+$10.26 Stock: 0
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $11.21 / Stock: 87 Qté: 1+$11.21 Stock: 87
- TubeSelected Variant Qté: 450+ / Prix unitaire: $10.68 / Stock: 0 Qté: 30+$10.68 Stock: 0
- Tube Qté: 30+ / Prix unitaire: $10.93 / Stock: 1 350 Qté: 30+$10.93 Stock: 1 350
Qté d'emballage(s) :
30 par
Style d'emballage :
TO-247-4L
Méthode de montage :
Through Hole