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Product Specification Section
onsemi NTH4L022N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 68A
Input Capacitance: 3175pF
Power Dissipation: 352W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4L
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
1 350
d’Allemagne (En ligne seulement):
1 350
Sur commande :Order inventroy details
2 250
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
30
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
334,20 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$11.14
60
$11.08
120
$11.03
150
$11.01
450+
$10.89