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onsemi | NTH4L020N120SC1

Référence fabricant

NTH4L020N120SC1

NTH4L Series 1200 V 28 mOhm 510 W Through Hole N-Channel Power Mosfet - TO-247-4
Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2329
Product Specification Section
onsemi NTH4L020N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 102A
Input Capacitance: 2943pF
Power Dissipation: 510W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4L
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
4 200
d’Allemagne (En ligne seulement):
4 200
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
30
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
733,80 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$24.46
60
$24.31
90
$24.23
120
$24.17
150+
$23.98
Product Variant Information section
Resources, Articles, News & Events
article
2024-10-31
onsemi — EliteSiC Discretes and Modules ...

Combining end-to-end SiC manufacturing capabilities with fast and