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Référence fabricant

NTBG028N170M1

N-Channel 1700 V 40 mOhm 428 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - D2PAK-7

Product Specification Section
onsemi NTBG028N170M1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1700V
Drain Current: 71A
Input Capacitance: 4160pF
Power Dissipation: 428W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  D2PAK-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
Total 
20 024,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
800+
$25.03