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Product Specification Section
onsemi NTBG020N090SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 900V
Drain Current: 9.8A
Input Capacitance: 4415pF
Power Dissipation: 3.7W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines