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Product Specification Section
onsemi NTBG020N090SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 900V
Drain Current: 9.8A
Input Capacitance: 4415pF
Power Dissipation: 3.7W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
13 024,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800+
$16.28