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Référence fabricant

TSM4800N15CX6 RFG

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Taiwan Semiconductor
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2524
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TSM4800N15CX6 RFG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 150V
Drain-Source On Resistance-Max: 480mΩ
Rated Power Dissipation: 2.1W
Qg Gate Charge: 8nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 1.4A
Turn-on Delay Time: 5ns
Turn-off Delay Time: 9ns
Rise Time: 18ns
Fall Time: 18ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2.9V
Technology: TrenchMOS
Input Capacitance: 332pF
Style d'emballage :  SOT-26-6
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
12 000
États-Unis:
12 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
28 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
567,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.189
6 000
$0.187
12 000
$0.185
15 000
$0.184
45 000+
$0.18
Product Variant Information section