Référence fabricant
PSMN069-100YS,115
PSMN069 Series 100 V 202.7 mOhm 14 nC N-Channel Standard Level MOSFET - LFPAK-4
Product Specification Section
Nexperia PSMN069-100YS,115 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia PSMN069-100YS,115 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 72.4mΩ |
Rated Power Dissipation: | 56W |
Qg Gate Charge: | 14nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 17A |
Turn-on Delay Time: | 10ns |
Turn-off Delay Time: | 19ns |
Rise Time: | 7ns |
Fall Time: | 5ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 3V |
Technology: | TrenchMOS |
Input Capacitance: | 645pF |
Style d'emballage : | SOT-669 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The PSMN069-100YS,115 is a Standard level N-channel MOSFET with LFPAK package and its Operating range is 175 °C. This product is Designed for Industrial Applications.
Product Features:
- Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge
- High efficiency gains in switching power converters
- Improved mechanical and thermal characteristics
- LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package
Applications:
- DC-to-DC converters
- Lithium-ion battery protection
- Load switching
- Motor control
- Server power supplies
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 500
$0.21
3 000
$0.205
15 000+
$0.199
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-669
Méthode de montage :
Surface Mount