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Infineon | IRLR024NTRPBF

Référence fabricant

IRLR024NTRPBF

Single N-Channel 55 V 0.11 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRLR024NTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.11Ω
Rated Power Dissipation: 45W
Qg Gate Charge: 15nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 16V
Drain Current: 17A
Turn-on Delay Time: 7.1ns
Turn-off Delay Time: 20ns
Rise Time: 74ns
Fall Time: 29ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 2V
Technology: Si
Height - Max: 2.39mm
Length: 6.22mm
Input Capacitance: 480pF
Style d'emballage :  TO-252AA
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
382,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.191
4 000
$0.189
6 000
$0.187
8 000
$0.186
10 000+
$0.183
Product Variant Information section