Référence fabricant
IRLR024NTRPBF
Single N-Channel 55 V 0.11 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Product Specification Section
Infineon IRLR024NTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
ADVISORY
11/14/2022 Détails et téléchargement
Subject Standardization of lot number format.Reason Harmonize and standardize the lot number format across all external production partners.Description: Lot numberOld - Multiple lot number formatsNew - Standardized into a single 11 alphanumeric lot number formatIntended start of delivery 2023-02-10Note: Customers may receive both current and new lot number formats, until existing inventory will be depleted
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRLR024NTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.11Ω |
Rated Power Dissipation: | 45W |
Qg Gate Charge: | 15nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
Drain Current: | 17A |
Turn-on Delay Time: | 7.1ns |
Turn-off Delay Time: | 20ns |
Rise Time: | 74ns |
Fall Time: | 29ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 2V |
Technology: | Si |
Height - Max: | 2.39mm |
Length: | 6.22mm |
Input Capacitance: | 480pF |
Style d'emballage : | TO-252AA |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
218 000
États-Unis:
104 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
114 000
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.191
4 000
$0.189
6 000
$0.187
8 000
$0.186
10 000+
$0.183
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount