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Référence fabricant

IRFR5305TRPBF

Single P-Channel 55V 0.065 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2348
Product Specification Section
Infineon IRFR5305TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.065Ω
Rated Power Dissipation: 110|W
Qg Gate Charge: 63nC
Style d'emballage :  TO-252AA
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The IRFR5305TRPBF is a Fifth Generation HEXFET from International Rectifier that utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. For more information, please see the datasheet above.

The IRFR5305TRPBF comes in a D-Pak package.  These come in Tape and Reel as indicated by the TR, and are lead free as indicated by the PBF.
Pricing Section
Stock global :
556 000
États-Unis:
332 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
224 000
Sur commande :Order inventroy details
696 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
670,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.335
6 000
$0.33
10 000+
$0.325
Product Variant Information section