Référence fabricant
IQFH36N04NM6ATMA1
OptiMOS 6 Series 40 V 66 A 0.36 mOhm Single N-Channel MOSFET - PG-TSON-12
Product Specification Section
Infineon IQFH36N04NM6ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IQFH36N04NM6ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.36mΩ |
Rated Power Dissipation: | 3W to 300W |
Qg Gate Charge: | 309nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 66A |
Turn-on Delay Time: | 24ns |
Turn-off Delay Time: | 74ns |
Rise Time: | 91ns |
Fall Time: | 19ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 2.8V |
Height - Max: | 1.1mm |
Length: | 8mm |
Input Capacitance: | 18600pF |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$3.68
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount