text.skipToContent text.skipToNavigation

Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Discrets
  4. Transistors
  5. Mosfet
  6. DMN63D8LW-13

Diodes Incorporated | DMN63D8LW-13

Référence fabricant

DMN63D8LW-13

Single N-Channel 30 V 3.8 Ohm 0.4 nC 420 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-323

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2436
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN63D8LW-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 3.8Ω
Rated Power Dissipation: 420mW
Qg Gate Charge: 0.4nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 380mA
Turn-on Delay Time: 2.3ns
Turn-off Delay Time: 11.4ns
Rise Time: 3.9ns
Fall Time: 16.7ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.5V
Technology: Si
Height - Max: 1mm
Length: 2.2mm
Input Capacitance: 23.2pF
Style d'emballage :  SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
30000
Multiples de :
10000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
576,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
10 000
$0.0196
30 000
$0.0192
40 000
$0.019
100 000
$0.0187
150 000+
$0.0183
Product Variant Information section