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Référence fabricant

BSH108,215

BSH108 Series 30 V 120 mOhm 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor -SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia BSH108,215 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 120mΩ
Rated Power Dissipation: 0.83|W
Qg Gate Charge: 6.4nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
24 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
12000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
831,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0718
6 000
$0.0705
9 000
$0.0698
12 000
$0.0693
15 000+
$0.0677