Référence fabricant
STGHU30M65DF2AG
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 84A |
| Power Dissipation-Tot: | 441W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 120A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.6V |
| Turn-on Delay Time: | 22ns |
| Turn-off Delay Time: | 151ns |
| Qg Gate Charge: | 90nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 223ns |
| Leakage Current: | 250nA |
| Input Capacitance: | 2393pF |
| Thermal Resistance: | 30°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix Internet
1+
$2.87
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2 par
Méthode de montage :
Surface Mount