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Référence fabricant

STGHU30M65DF2AG

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 650V
Collector Current @ 25C: 84A
Power Dissipation-Tot: 441W
Gate - Emitter Voltage: 20V
Pulsed Collector Current: 120A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 1.6V
Turn-on Delay Time: 22ns
Turn-off Delay Time: 151ns
Qg Gate Charge: 90nC
Reverse Recovery Time-Max: 223ns
Leakage Current: 250nA
Input Capacitance: 2393pF
Thermal Resistance: 30°C/W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
No of Terminals: 7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
600
Total 
1 806,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
600
$3.01
1 200
$2.97
1 800
$2.94
2 400
$2.92
3 000+
$2.87