Référence fabricant
STGF10NB60SD
STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2422 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGF10NB60SD - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STGF10NB60SD - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 600V |
| Collector Current @ 25C: | 23A |
| Power Dissipation-Tot: | 25W |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Pulsed Collector Current: | 80A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.75V |
| Turn-on Delay Time: | 0.7µs |
| Turn-off Delay Time: | 1.2µs |
| Qg Gate Charge: | 33nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 37ns |
| Leakage Current: | 100nA |
| Input Capacitance: | 610pF |
| Thermal Resistance: | 62.5°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
14 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
14 000
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.695
200
$0.675
750
$0.66
1 500
$0.65
3 750+
$0.63
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole