Référence fabricant
BM3G007MUV-LBE2
BM3G0 Series 650 V 70 mOhm 2 MHz SMT GaN HEMT Power Stage - VQFN-46
Product Specification Section
ROHM BM3G007MUV-LBE2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
ROHM BM3G007MUV-LBE2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: | GaN |
Fet Type: | N-Ch |
Drain Current: | 20.9A |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Operating Temp Range: | -40°C to +105°C |
Style d'emballage : | VQFN-46 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix Internet
1 000+
$8.52
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
VQFN-46
Méthode de montage :
Surface Mount