Référence fabricant
ISL12022MIBZ-T
Low Power RTC w/ Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temp. Compensation.SOIC20
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| Nom du fabricant: | Renesas | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :SOIC-20W Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Renesas ISL12022MIBZ-T - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Renesas ISL12022MIBZ-T - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Date Format: | DW:DM:M:Y |
| Time Format: | HH:MM:SS |
| Interface: | I2C |
| Non-Volatile Memory Size: | 128B |
| Supply Voltage-Nom: | 2.7V to 5.5V |
| Temperature Grade: | Industrial |
| Operating Temp Range: | -40°C to +85°C |
| Storage Temperature Range: | -40°C to +85°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | SOIC-20W |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$3.76
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-20W
Méthode de montage :
Surface Mount