Référence fabricant
QSE122
QSE122 Series 30 V 880 nm Through Hole Plastic Silicon Infrared Phototransistor
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Bag Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi QSE122 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi QSE122 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 880nm |
| Angle of Half Sensitivity: | ±25° |
| Power Dissipation: | 100mW |
| CE Voltage-Max: | 30V |
| Collector Current @ 25C: | 3mA |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The QSE122 is a 30 V 880 nm, Through Hole Plastic Silicon Infrared Phototransistor. Its Operating temperature ranges from -40 °C to 100 °C.
Features:
- NPN Silicon Phototransistor
- Package Type: Sidelooker
- Medium wide reception angle, 50°
- Package material and color: black epoxy
- Matched emitter: QEE113
- Daylight filter
- High sensitivity
Applications:
- Automation
- Building & Home Controls
- Medical Electronics/Devices
- Home Audio System Components
- Consumer Appliances
View the QSE1 Series of Phototransistors
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
31 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$0.395
1 500
$0.39
2 000
$0.385
5 000
$0.38
7 500+
$0.375
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Bag
Méthode de montage :
Through Hole