Référence fabricant
QSB363ZR
QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :T-3/4 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi QSB363ZR - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi QSB363ZR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 940nm |
| Angle of Half Sensitivity: | ±12° |
| Power Dissipation: | 75mW |
| CE Voltage-Max: | 30V |
| Style d'emballage : | T-3/4 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The QSB363ZR is a Subminiature plastic silicon infrared phototransistor encapsulated in a black infrared transparent. Available in T-3/4 package.
Features:
- NPN silicon phototransistor
- T-3/4 (2 mm) surface mount package
- Medium wide beam angle 24°
- Black plastic package
- Matched emitters: QEB363 or QEB373
- Daylight filter
- Tape & Reel option (See tape & Reel specifications)
- Lead form options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
- Consumer Appliances
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.0958
3 000
$0.0933
5 000
$0.0922
20 000
$0.0891
30 000+
$0.0872
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
T-3/4
Méthode de montage :
Surface Mount