Référence fabricant
QRD1114
QRD1114 Series 30 V 50 mA Phototransistor Reflective Object Sensor
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :100 par Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2447 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi QRD1114 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi QRD1114 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Type: | Reflective |
| Wavelength: | 940nm |
| CE Voltage-Max: | 30V |
| Forward (Drive) Current: | 50mA |
| Power Dissipation: | 100mW |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The QRD1114 is a reflective sensor which consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing.
Features:
- Phototransistor Output
- No contact surface sensing
- Unfocused for sensing diffused surfaces
- Compact Package
- Daylight filter on sensor
Pricing Section
Stock global :
11 700
États-Unis:
11 700
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
100
$0.535
1 800
$0.53
2 700
$0.525
3 600
$0.52
4 500+
$0.515
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
100 par
Méthode de montage :
Through Hole