Référence fabricant
H11AA4SR2M
H11AA2M Series 4170 Vrms 30 V SMT Single Ch. Phototransistor Optocoupler - DIP6
Product Specification Section
onsemi H11AA4SR2M - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi H11AA4SR2M - Caractéristiques techniques
Attributes Table
No of Channels: | 1 |
Isolation Voltage-RMS: | 4170V |
Output Voltage-Max: | 30V |
CTR-Min: | 100% |
Operating Temp-Max: | 100°C |
Style d'emballage : | DIP-6 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The H11AA4SR2M consists of two gallium-arsenide infrared emitting diodes connected in inverse parallel driving a single silicon phototransistor output.
Features:
- Bi-polar emitter input
- Built-in reverse polarity input protection
- Underwriters Laboratory (UL) recognized File#E90700, Volume 2
- VDE approved File #102497 (ordering option ‘V’)
Applications:
- AC line monitor
- Unknown polarity DC sensor
- Telephone line interface
Pricing Section
Stock global :
36 000
États-Unis:
36 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.27
2 000
$0.265
5 000
$0.26
15 000+
$0.255
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
DIP-6
Méthode de montage :
Surface Mount